德國(guó)紐倫堡 – 2025年3月11日 – 專注于閃存、32位微控制器（MCU）、傳感器、模擬產(chǎn)品和解決方案的領(lǐng)先半導(dǎo)體公司兆易創(chuàng)新（GigaDevice）宣布推出專為1.2 V片上系統(tǒng)（SoC）應(yīng)用設(shè)計(jì)的雙電源SPI NOR FlashGD25NE系列。
GD25NE系列進(jìn)一步強(qiáng)化了兆易創(chuàng)新戰(zhàn)略性的雙電源閃存路線圖，實(shí)現(xiàn)了與下一代1.2 V SoC的無(wú)縫兼容，無(wú)需外部升壓電路。GD25NE 系列具有更高的性能和更低的功耗，可滿足對(duì)高級(jí)嵌入式存儲(chǔ)日益增長(zhǎng)的需求，使其成為可穿戴設(shè)備、醫(yī)療保健、物聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心和邊緣 AI 應(yīng)用的理想選擇。
GD25NE 將 1.8 V 內(nèi)核電壓與 1.2 V I/O 接口電壓相結(jié)合，支持單、雙、四 STR（單傳輸速率）和四 DTR（雙傳輸速率）作。它在 STR 模式下可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 133 MHz 的高速時(shí)鐘頻率，在 DTR 模式下可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 104 MHz 的高速時(shí)鐘頻率。
GD25NE系列的典型頁(yè)面編程時(shí)間為0.15ms，扇區(qū)擦除時(shí)間為30ms，其性能明顯優(yōu)于傳統(tǒng)的僅1.2 V閃存解決方案，讀取性能提高了20%，編程速度提高了60%以上，擦除時(shí)間縮短了30%。這些進(jìn)步使 GD25NE 系列成為新興嵌入式應(yīng)用的絕佳選擇。
兆易創(chuàng)新副總裁兼閃存事業(yè)部總經(jīng)理蘇如偉表示：“GD25NE系列代表了一類新型雙電源SPI NOR Flash，實(shí)現(xiàn)了高性能和超低功耗的最佳平衡，該解決方案顯著降低了功耗，提高了讀取速度，并提高了編程/擦除效率，旨在滿足下一代1.2 V SoC不斷變化的需求。作為我們持續(xù)致力于創(chuàng)新的一部分，我們將繼續(xù)擴(kuò)展我們的產(chǎn)品組合，為客戶提供更高效、更可靠和面向未來(lái)的閃存解決方案，用于新的前沿應(yīng)用。
GD25NE 系列提供從 32 Mb 到 256 Mb 的各種密度，并支持 SOP16 （300 mil） 和 BGA24 （5×5 球陣列）封裝選項(xiàng)。該系列的第一款產(chǎn)品 256 Mb GD25NE256H 可提供樣品。密度從 32 Mb 到 128 Mb 的其余產(chǎn)品系列將緊隨其后。有關(guān)這些產(chǎn)品的具體詳情和定價(jià)，請(qǐng)聯(lián)系您當(dāng)?shù)氐匿N售代表。
